شرکت کربونیکس (Carbonics) موفق به ارائه فناوری شده که با استفاده از آن ذرات کربنی را می‌توان به صورت راه‌راه ( شبیه به پوست گورخر) روی سطح ویفر سیلیکونی قرار داد. این ویفر قابل استفاده برای سامانه‌های CMOS روی تراشه است، به طوری که با آن می‌توان به سمت نسل پنجم تراشه‌ها رفت.
گالاتسیس، مدیرعامل شرکت کربونیکس، می‌گوید: «فناوری ویفر ما درجایی قرار گرفته که فرصت‌های کسب و کار ما آنجاست. برای مثال، WiGig با نرخ 30 درصد در سال در حال رشد بوده و این ویفر برای این فناوری مناسب است.»
از ویفر سیلیکونی حاوی پوشش کربنی می‌توان در تلفن‌های همراه استفاده کرد. در حال حاضر روش‌های مختلف برای ایجاد خطوط موازی با استفاده از نانولوله‌های کربنی روی سیلیکون ارائه شده است، اما هیچ یک از آنها برای تولید انبوه قابل استفاده نیست. مزیت استفاده از نانولوله‌های کربنی در RF، در هدایت الکترونی بالای این ماده است.
دلیل مقرون به صرفه بودن روش شرکت کربونیکس آن است که این روش در دمای معمولی و با روش مبتنی بر محلول انجام می‌شود. نانولوله‌های کربنی درون محلول ترکیب و سپس ویفر در آن غوطه‌ور می‌شود. نانولوله‌ها روی ویفر سیلیکون، جهت‌گیری کرده و روی آن قرار می‌گیرند. بعد از این که ویفر خشک شد، با روش‌های لیتوگرافی نرمال می‌توان کانال‌های ترانزیستور را روی آن شکل داد و در نهایت با استفاده از پلاسمای اکسیژن نانولوله‌های غیرضروری شسته می‌شود.
گالاتسیس می‌گوید: «فرآیند ما بسیار ساده است. شرکت IBM نیز روی ویفر الگودهی انجام می‌دهد، اما از یک روش بسیار پیچیده استفاده می‌کند که مراحل متعددی نیاز دارد و در آن از بلوک کوپلیمر استفاده می‌شود. در حالی که روش ما تنها با یک مرحله می‌تواند الگو روی سطح ایجاد کند.»
هر کانال حاوی تعدادی نانولوله کربنی است که برای ایجاد جریان ضروری است. این کانال‌ها می‌توانند چند میلی‌آمپر در هر میلیمتر یا میکرو آمپر در میکرومتر ایجاد کنند. 
از این ساختار می‌توان برای ساخت حافظه، شناساگر و حسگر استفاده کرد. به منظور استفاده از این محصول در RF، نانولوله‌ها به صورت مستقیم روی کوارتز قرار داده می‌شوند.

منبع: nano.ir