استفاده از الگوهای نانومقیاس برای کنترل انتشار نور در فناوری «LED»
محققین موفق به توسعه یک فناوری جدید شدهاند که بر اساس آن، میتوان الگوهای نانومقیاس طراحی شده برای جلوگیری از انحراف نور را مستقیماً بر روی سطوح «LED» بکار گرفت. طرح جدید، قابلیتهای چشمگیری برای کنترل بهینه نور خروجی از سطوح «LED» فراهم مینماید.
بنا بر گزارش «Nanowerk»، پیشرفتهای اخیر در فناوری «LED» موجب شده است تا از آن به طور وسیعی در زندگی روزمره، اعم از روشنایی محل زندگی، نور پسزمینه تلویزیون و گوشیهای تلفن همراه و یا حتی مدارهای نوری کوچک در شبکههای جهانی فیبر نوری استفاده شود. فرآیند تولید و انتشار نور در «LED»، از یک ساختار بسیار ساده و جالب، شامل یک لایه نازک از مواد دیالکتریک مانند نیترید گالیوم، بر روی یک زیر لایه کریستال بهره میبرد. این فناوری با یک محدودیت بسیار مهم مواجه است که نور انتشار یافته از «LED»، در تمامی جهات منتشر میشود و همین موجب شده تا تحقیقات فراوانی جهت افزایش بازدهی انتشار نور در این فناوری انجام گیرد.
در راستای همین تلاشها، «ایگور خایداروف» و همکارانش در مؤسسه «A*STAR» و با همکاری دانشگاه «Nanyang»، راهی برای شکلدهی به نیترید گالیوم با ویژگیهای نانومقیاس یافتهاند که میتواند رفتار نور را تحت کنترل گیرد. ایگور در خصوص فناوری ارائه شده اظهار داشته: «ما نشان دادیم که متاسطوح - سطوحی با ویژگی های الگویی کوچکتر از طول موج نور انتشار یافته- میتوانند به طور مستقیم بر روی پلتفرم استاندارد نیترید گالیوم تعبیه شوند. همچنین طراحی مناسب این امکان را فراهم نموده که متاسطوحی بدون نیاز به لایههای اضافی ایجاد نمود که دارای بازدهی بالایی از انتشار است. در طراحی استفاده شده، کنترل کامل بر نور خروجی به ارمغان آمده که امکان استفاده در ساخت تجهیزات نوری پیچیده نظیر لنزها و پولاریمترها و هولوگرامها را فراهم مینماید.»
شایان ذکر است که اصلاح متاسطوح در «LED»ها در گذشته نیز انجام شده است. به این منظور از الگوهایی استفاده میشد که یک لایه اضافی با ضریب انکساری متفاوت نسبت به زیرلایه استفاده میشد. در فناوری جدید از چیدمان خاص در ساختار نیترید گالیوم استفاده شده که این کار به وسیله در نظر گرفتن نانوستونها انجام شده است. البته بایستی این نکته را در نظر گرفت که فرایند مذکور به نسبت پیچیده بوده و برای انجام طراحی دقیق نیاز به پرتو الکترونی لیتوگرافی و اچ کردن یونی در دمای بالا میباشد.
مرجع: «Nanowerk»
هنوز نظری وارد نشده است!
نظر خود را ارسال نمایید
پست الکترونیکی شما انتشار پیدا نمی کند.