طراحی سنسورهای پوشیدنی و یا دیگر دستگاه‌ها، نیازمند تجهیزات الکترونیک قدرتمند و در عین حال انعطاف‌پذیری است که با استفاده از فناوری نانو می‌توان به آن دست یافت. استفاده از فیلم‌های بسیار نازک، به ضخامت یک اتم، مانند دی سولفید مولیبدن «MoS2»، از جمله مواردی است که می‌تواند انعطاف لازم را در طراحی سیستم‌های الکترونیکی نوین در اختیار سازندگان قرار دهد. با این حال، این فیلم‌های نازک با نواقص ساختاری روبرو هستند که عملکرد دستگاه را به‌طور قابل توجهی کاهش می‌دهد. دانشمندان دانشگاه نیویورک و مرکز نانومواد کارکردی، موفق به ارائه یک روش اصلاحی سوپر اسید (ترکیبی از یک اسید در یک حلال معمولاً غیرآبی بسیار اسیدی) شده‌اند که می‌تواند نواقص ساختاری «MoS2» را بهبود دهد.

بنا بر گزارش وب‌سایت «Nanowerk»، کامپیوترهای پوشیدنی یک روند نوظهور در فناوری به شمار می‌آید که سرمایه‌گذاری و تجاری‌سازی آن، نیازمند دستگاه‌های انعطاف‌پذیر مکانیکی است. با توجه به این‌که فیلم‌های نازک، می‌توانند دستگاه‌های مختلف الکترونیکی را قدرتمند و سریع نمایند، این نوآوری علمی گامی بزرگ و حیاتی برای تحقق تجاری‌سازی دستگاه‌های پوشیدنی به شمار می‌رود. محققین برای دستیابی به نسل جدید نیمه‌هادی‌ها، از تکنیک پیشرفته‌ای تحت عنوان «Nano-Auger» برای مطالعه ساختار دی سولفید مولیبدن در مقیاس اتمی استفاده نموده‌اند که نشان می‌دهد سوپر اسید می‌تواند نواقص ساختاری را از طریق اصلاح مناطقی که دارای اتم گوگرد از دست رفته است، بهبود بخشد.

گفتنی است، ماهیت نازک و اتمیک پوشش نیمه‌هادی‌ها موجب افزایش خصوصیات فیزیکی منحصربه‌فرد می‌شود که معمولاً در نیمه‌هادی‌های سنتی مانند سیلیکون‌ها وجود ندارد. نیمه‌هادی‌های مصنوعی دوبعدی حاصل از فناوری جدید، می‌تواند کارایی را به میزان زیادی افزایش داده و طراحی سیستم‌های الکترونیکی پوشیدنی را تسهیل نماید.

مرجع: «Nanowerk»،

http://nanomatch.ir/