ساخت نسل جدید کارت‌های حافظه فوق باریک از طریق یکپارچه‌سازی حافظه و ترانزیستورهای نانومقیاس
یک تیم مهندسی برق دانشگاه تگزاس با همکاری محققین دانشگاه پکن موفق شدند فناوری جدیدی برای ذخیره‌سازی داده‌های اطلاعاتی توسعه دهند که راه را برای ساخت و طراحی تراشه‌های بسیار باریک و دقیق فراهم می‌آورد. در فناوری جدید از نانو مواد دوبعدی تحت عنوان اتم‌ریستورز«Atomristors» برای بهبود فرآیند ذخیره‌سازی حافظه استفاده می‌شود.
«دجی آکینواند»، از اعضای تیم تحقیق، با تأکید بر این‌که «اتم‌ریزتورز» می‌تواند امکان سه‌بعدی‌سازی حافظه‌ها و ترانزیستورهای نانومقیاس را بر روی یک تراشه پیشرفته فراهم سازد، اظهار داشت: «برای مدت‌زمان طولانی، فرض بر این بود که دستگاه‌های ذخیره‌سازی اطلاعات نمی‌توانند از موادی ساخته شوند که ضخامتی به‌اندازه تنها یک لایه اتمی دارند. یافته‌های ما نشان می‌دهد که این امکان وجود دارد و کاملاً عملی خواهد بود.»
تا به امروز، حافظه‌های اطلاعاتی و ترانزیستورها به‌عنوان اجزای جداگانه بر روی یک میکروچیپ به شمار می‌رفتند که فناوری جدید با تلفیق و یکپارچه‌سازی آن‌ها توانسته است ترکیبی کارآمدتر ارائه دهد. استفاده از یک لایه اتمی گرافن به‌عنوان الکترود و ورق‌های نیمه‌رسانای اتمی (سولفید مولیبدن) به‌عنوان لایه فعال، موجب شده است تا ضخامت کل سلول حافظه ساخته‌شده برابر با 1.5 نانومتر باشد. بدیهی است، این ویژگی یک مزیت قابل توجه نسبت به حافظه‌های معمولی است که فضای بسیار بیشتری اشغال می‌نمایند. علاوه بر این، کاهش قابل توجه ضخامت می‌تواند منجر به سریع‌تر و کاراتر شدن جریان الکتریکی منجر شود.
گفتنی است، یکی از چالش‌های بزرگ در حوزه مهندسی و ساخت کارت‌های حافظه این است که چگونه می‌توان مجموعه‌ای از اتصالات سه‌بعدی مشابه با چیزی که در مغز انسان یافت می‌شود، ایجاد نمود. به گفته آکینواند، طراحی یکپارچه توسعه‌یافته در فناوری جدید بدین معنی است که ما به‌طور بالقوه می‌توانیم رایانه‌هایی تولید نماییم که فرآیند یادگیری و به خاطر آوردن را شبیه به مغز انسان انجام می‌دهند.
مرجع: nanotech-now
هنوز نظری وارد نشده است!
نظر خود را ارسال نمایید
پست الکترونیکی شما انتشار پیدا نمی کند.